S3M0025120B
部品番号：
S3M0025120B
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 2
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
0
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$13.83
$13.83
10+
$9.64
$96.4
100+
$7.27
$727
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
73A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263-7
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20mA
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
最大消費電力
394W (Tc)
Vgs（最大）
+18V, -4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 48A, 18V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
175 nC @ 18 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3519 pF @ 1000 V
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