S3M0025120D
部品番号：
S3M0025120D
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1895
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$20.69
$20.69
10+
$14.77
$147.7
300+
$11.49
$3447
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247AD
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
77A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
最大消費電力
517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20mA
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
Vgs（最大）
+22V, -8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 48A, 18V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
175 nC @ 18 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3519 pF @ 1000 V
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