S3M0040120K
部品番号：
S3M0040120K
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1900
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$15.5
$15.5
10+
$10.88
$108.8
300+
$7.92
$2376
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
最大消費電力
130W (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
65A (Tc)
パッケージ / ケース
TO-247-4
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4
Vgs（最大）
+22V, -8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 16mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
143 nC @ 18 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2844 pF @ 1000 V
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