SICBG040N120H-TP
部品番号：
SICBG040N120H-TP
製品カテゴリ：
-
説明：
SIC N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
封止：
パッケージ：
Tape & Reel (TR)
数量：
0
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：800
数量
価格
合計
800+
$10.59
$8472.01
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
55A (Tc)
最大消費電力
250W (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
Vgs（最大）
+25V, -10V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263-7LA
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 40mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 20V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
229 nC @ 20 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3619 pF @ 800 V
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