SIJK140E-T1-GE3
部品番号：
SIJK140E-T1-GE3
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
2228
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$8.31
$8.31
10+
$5.63
$56.3
100+
$4.5
$450
500+
$4.28
$2140
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
40 V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
470 nC @ 10 V
パッケージ / ケース
8-PowerSFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.47mOhm @ 20A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK®10 x 12
最大消費電力
17W (Ta), 536W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
140A (Ta), 795A (Tc)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
18510 pF @ 20 V
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