18923764396
szlcwkj@163.com
Japanese
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
トップページ
製品分類
ブランド
引き合い
ニュース
私たちについて
私たちについて
連絡先
お問い合わせ
企業文化
企業文化
トップページ
製品分類
ブランド
引き合い
ニュース
私たちについて
連絡先
企業文化
Japanese
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
ホーム
製品リスト
SIR572DP-T1-BE3
部品番号:
SIR572DP-T1-BE3
製品カテゴリ:
-
メーカー:
Vishay Siliconix
説明:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
封止:
パッケージ:
Cut Tape (CT)
数量:
6000
RoHSステータス:
対応
シェア:
PDF:
SIR572DP-T1-BE3
見積依頼
在庫
最小注文数量:1
数量
価格
合計
1+
$3.1
$3.1
10+
$2
$20
100+
$1.38
$138
500+
$1.13
$565
製品パラメータ
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs(最大)
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
150 V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
54 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ / ケース
PowerPAK® SO-8
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 10A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
14.8A (Ta), 59.7A (Tc)
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2733 pF @ 75 V
最大消費電力
5.7W (Ta), 92.5W (Tc)
最新製品
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
詳しく見る
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
詳しく見る
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
詳しく見る
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
詳しく見る
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
詳しく見る
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
詳しく見る
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
詳しく見る
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
詳しく見る
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396