SIR580DP-T1-BE3
部品番号：
SIR580DP-T1-BE3
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
6000
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$3.09
$3.09
10+
$2
$20
100+
$1.38
$138
500+
$1.16
$580
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
76 nC @ 10 V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
80 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ / ケース
PowerPAK® SO-8
最大消費電力
6.25W (Ta), 104W (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
7.5V, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
35.8A (Ta), 146A (Tc)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
4100 pF @ 40 V
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