SIR5810DP-T1-RE3
部品番号：
SIR5810DP-T1-RE3
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
5970
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$1.64
$1.64
10+
$1.04
$10.4
100+
$0.69
$69
500+
$0.54
$270
1000+
$0.49
$490
2000+
$0.47
$940
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
80 V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
18.5 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ / ケース
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
7.5V, 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
900 pF @ 40 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
15.5A (Ta), 53.3A (Tc)
最大消費電力
3W (Ta), 56.8W (Tc)
最新製品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
QRコードをスキャン