SIRA06DDP-T1-UE3
部品番号：
SIRA06DDP-T1-UE3
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
5838
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$1.27
$1.27
10+
$0.8
$8
100+
$0.52
$52
500+
$0.41
$205
1000+
$0.37
$370
2000+
$0.34
$680
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
30 V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2330 pF @ 15 V
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ / ケース
PowerPAK® SO-8
Vgs（最大）
+20V, -16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 15A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
36A (Ta), 125A (Tc)
最大消費電力
4.6W (Ta), 59W (Tc)
最新製品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
QRコードをスキャン