SISS26LDN-T1-UE3
部品番号：
SISS26LDN-T1-UE3
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
6000
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$1.85
$1.85
10+
$1.17
$11.7
100+
$0.78
$78
500+
$0.62
$310
1000+
$0.56
$560
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
48 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 15A, 10V
最大消費電力
4.8W (Ta), 57W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8S
パッケージ / ケース
PowerPAK® 1212-8S
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1980 pF @ 30 V
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