SISS5708DN-T1-BE3
SISS5708DN-T1-BE3
SISS5708DN-T1-BE3
部品番号:
SISS5708DN-T1-BE3
製品カテゴリ:
-
メーカー:
説明:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
封止:
パッケージ:
Cut Tape (CT)
数量:
5975
RoHSステータス:
対応
シェア:
在庫
最小注文数量:1
数量
価格
合計
1+
$2.72
$2.72
10+
$1.74
$17.4
100+
$1.18
$118
500+
$0.96
$480
1000+
$0.94
$940
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs(最大)
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
20 nC @ 10 V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
150 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 10A, 10V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
7.5V, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8S
パッケージ / ケース
PowerPAK® 1212-8S
最大消費電力
5W (Ta), 65.7W (Tc)
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
975 pF @ 75 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 33.8A (Tc)
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