SQJ118EP-T1_GE3
SQJ118EP-T1_GE3
SQJ118EP-T1_GE3
部品番号:
SQJ118EP-T1_GE3
製品カテゴリ:
-
メーカー:
説明:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100V (D-S)
封止:
パッケージ:
Cut Tape (CT)
数量:
3000
RoHSステータス:
対応
シェア:
在庫
最小注文数量:1
数量
価格
合計
1+
$1.56
$1.56
10+
$0.98
$9.8
100+
$0.65
$65
500+
$0.51
$255
1000+
$0.46
$460
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
100 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs(最大)
±20V
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
38A (Tc)
最大消費電力
500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2930 pF @ 25 V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
47 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ / ケース
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.7mOhm @ 15A, 10V
最新製品
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-