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製品リスト
TK099N60Z1,S1F
部品番号:
TK099N60Z1,S1F
製品カテゴリ:
-
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
封止:
パッケージ:
Tube
数量:
60
RoHSステータス:
対応
シェア:
PDF:
TK099N60Z1,S1F
見積依頼
在庫
最小注文数量:1
数量
価格
合計
1+
$5.72
$5.72
30+
$3.22
$96.6
120+
$2.67
$320.4
510+
$2.26
$1152.6
1020+
$2.21
$2254.2
製品パラメータ
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
150°C
パッケージ / ケース
TO-247-3
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
600 V
Vgs(最大)
±30V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
36 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
25A (Ta)
最大消費電力
176W (Tc)
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2050 pF @ 300 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 930µA
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