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製品リスト
TK099U60Z1,RQ
部品番号:
TK099U60Z1,RQ
製品カテゴリ:
-
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
封止:
パッケージ:
Cut Tape (CT)
数量:
4000
RoHSステータス:
対応
シェア:
PDF:
TK099U60Z1,RQ
見積依頼
在庫
最小注文数量:1
数量
価格
合計
1+
$4.86
$4.86
10+
$3.21
$32.1
100+
$2.27
$227
500+
$2.09
$1045
製品パラメータ
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
150°C
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
600 V
Vgs(最大)
±30V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
36 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
25A (Ta)
最大消費電力
176W (Tc)
パッケージ / ケース
8-PowerSFN
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2050 pF @ 300 V
サプライヤーデバイスパッケージ
TOLL
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 930µA
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