TP65H015G5WS
部品番号：
TP65H015G5WS
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
650 V 95 A GAN FET
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
2105
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$35.48
$35.48
30+
$23.77
$713.1
120+
$23.65
$2838
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ / ケース
TO-247-3
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
93A (Tc)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
100 nC @ 10 V
最大消費電力
266W (Tc)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 2mA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
5218 pF @ 400 V
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