TP65H035G4WSQA
部品番号：
TP65H035G4WSQA
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
650 V 46.5 GAN FET
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1643
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$22.13
$22.13
30+
$13.92
$417.6
120+
$13.32
$1598.4
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
Automotive
認定
AEC-Q101
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
22 nC @ 10 V
パッケージ / ケース
TO-247-3
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3
最大消費電力
187W (Tc)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1500 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
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