TP65H050G4BS
部品番号：
TP65H050G4BS
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
650 V 34 A GAN FET
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
543
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$15.82
$15.82
50+
$9.1
$455
100+
$8.45
$845
500+
$8.13
$4065
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
24 nC @ 10 V
パッケージ / ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
34A (Tc)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
最大消費電力
119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1000 pF @ 400 V
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