TP65H050G4YS
部品番号：
TP65H050G4YS
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1921
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$12.46
$12.46
10+
$9.83
$98.3
450+
$9.31
$4189.5
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
24 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
35A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
パッケージ / ケース
TO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4L
最大消費電力
132W (Tc)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1000 pF @ 400 V
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