TP65H070G4RS-TR
部品番号：
TP65H070G4RS-TR
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
650 V 29 A GAN FET
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
3305
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$10.43
$10.43
10+
$6.73
$67.3
100+
$6.19
$619
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
29A (Tc)
最大消費電力
96W (Tc)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
9 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
パッケージ / ケース
16-PowerSOP Module
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
638 pF @ 400 V
サプライヤーデバイスパッケージ
TOLT
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