TP65H100G4LSGB-TR
部品番号：
TP65H100G4LSGB-TR
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
Hi Volt FETs
封止：
パッケージ：
Tape & Reel (TR)
数量：
1600
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：3000
数量
価格
合計
3000+
$3.16
$9480
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
パッケージ / ケース
8-VDFN Exposed Pad
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
14.4 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12A, 10V
最大消費電力
65.8W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PQFN (8x8)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
18.9A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 1.8mA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
818 pF @ 400 V
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