TP65H150BG4JSG-TR
部品番号：
TP65H150BG4JSG-TR
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
3635
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$5.54
$5.54
10+
$3.68
$36.8
100+
$2.62
$262
500+
$2.49
$1245
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Vgs（最大）
±10V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
最大消費電力
83W (Tc)
パッケージ / ケース
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PQFN (5x6)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
4.9 nC @ 10 V
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 500µA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
400 pF @ 400 V
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