TP65H150G4LSG-TR
部品番号：
TP65H150G4LSG-TR
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
650 V 13 A GAN FET
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
7111
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$6.41
$6.41
10+
$4.29
$42.9
100+
$3.09
$309
500+
$3.03
$1515
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13A (Tc)
最大消費電力
52W (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
8 nC @ 10 V
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤーデバイスパッケージ
3-PQFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
598 pF @ 400 V
パッケージ / ケース
3-PowerTDFN
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