Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
150°C
Vgs(th) (макс.) при Id
3.5V @ 1mA
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение сток-исток (Vdss)
600 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
5 nC @ 10 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
1A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
110 pF @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252 (MP-3ZK)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1W (Ta), 22W (Tc)