TW083U65C,RQ
Номер детали:
TW083U65C,RQ
Категория:
-
Производитель:
Описание:
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$25.36
$25.36
10+
$18.31
$183.1
100+
$18.23
$1823
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
28A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
111W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Корпус
8-PowerSFN
Поставщик Устройство Корпус
TOLL
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 600µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
873 pF @ 400 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
124mOhm @ 15A, 18V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код