Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6.8A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
100W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 500µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700 V
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 20V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3L
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
16.7 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
227 pF @ 1000 V