Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
60 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.3V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (5x6)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Корпус
8-PowerSMD, Flat Leads
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
13A (Ta), 40A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2430 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
5W (Ta), 73W (Tc)