Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
110 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (5x6)
Vgs(th) (макс.) при Id
1.7V @ 250µA
Корпус
8-PowerSMD, Flat Leads
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 20A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
62A (Ta), 302A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
5580 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
7.5W (Ta), 176W (Tc)