Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
700 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
420mOhm @ 6A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.6V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
8.3W (Ta), 156W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
4-DFN (8x8)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1360 pF @ 100 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2.8A (Ta), 12A (Tc)