ASZM040120T
Номер детали:
ASZM040120T
Категория:
-
Производитель:
Описание:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
13
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$11.48
$11.48
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
340W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
68A (Tc)
Корпус
TO-247-4
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-4
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.6V @ 9.5mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
32mOhm @ 40A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
87 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2820 pF @ 1000 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код