Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
75A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
200W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
55 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
146 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3247 pF @ 25 V