Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
110 nC @ 10 V
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
27A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
150 V
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
250W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2210 pF @ 25 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
150mOhm @ 16A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
PG-TO263-3