C3M0900170J-TR
C3M0900170J-TR
C3M0900170J-TR
Номер детали:
C3M0900170J-TR
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SICFET N-CH 1700V 4.4A D2PAK-7
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 0
Кол-во
Цена
Итого
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4.4A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
41W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-263-7
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700 V
Vgs (макс.)
+20V, -8V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8 nC @ 15 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.2V @ 550µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
202 pF @ 1200 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-