CBB011M12GM4T
Номер детали:
CBB011M12GM4T
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,
Корпус:
Упаковка:
Box
Количество:
41
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$258.84
$258.84
18+
$222.75
$4009.5
Статус детали
Active
Тип монтажа
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус
-
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
Module
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация
4 N-Channel (Full Bridge)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
100A (Tj)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
14.9mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 28mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
405nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
10.1pF @ 800V
Мощность - Максимальная
292W (Tj)
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код