Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
30A (Tc)
Мощность - Максимальная
-
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 1mA
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Корпус
32-PowerDIP Module (1.264", 32.10mm)
Поставщик Устройство Корпус
ACEPACK DMT-32
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
63nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1230pF @ 800V
Конфигурация
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
114mOhm @ 20A, 18V