CC-C2-B15-0322
Номер детали:
CC-C2-B15-0322
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SiC Power MOSFET 1200V 12A
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
5
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 5
Кол-во
Цена
Итого
5+
$7.7
$38.5
10+
$6.6
$66
100+
$6.05
$605
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рассеиваемая мощность (максимальная)
100W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
12A (Ta)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247
Корпус
TO-247-4
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (макс.) при Id
3.2V @ 5mA
Vgs (макс.)
+15V, -5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
40 nC @ 15 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1810 pF @ 200 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код