CGD65A130SH2
Номер детали:
CGD65A130SH2
Категория:
-
Производитель:
Описание:
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
3413
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$8.31
$8.31
10+
$5.63
$56.3
100+
$4.27
$427
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
12V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
12A
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.2V @ 4.2mA
Vgs (макс.)
+20V, -1V
Поставщик Устройство Корпус
16-DFN (8x8)
Корпус
16-PowerVDFN
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1.9 nC @ 12 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код