CGD65B240SH2
Номер детали:
CGD65B240SH2
Категория:
-
Производитель:
Описание:
650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
6255
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$5.93
$5.93
10+
$3.95
$39.5
100+
$2.83
$283
500+
$2.73
$1365
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
7A
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (5x6)
Корпус
8-PowerVDFN
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
12V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.)
+20V, -1V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
336mOhm @ 500mA, 12V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.2V @ 2.3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1.2 nC @ 12 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код