Тип монтажа
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус
-
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700V (1.7kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
916A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.86mOhm @ 650A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.6V @ 305mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
2988nC @ 15V
Конфигурация
2 N-Channel, Common Source (Half Bridge)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
97300pF @ 1.2kV
Мощность - Максимальная
2.78kW (Tc)