Тип монтажа
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус
-
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Конфигурация
2 N-Channel, Common Source (Half Bridge)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
1.051kA (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 800A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.9V @ 255mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
2784nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
94900pF @ 800V
Мощность - Максимальная
2.54kW (Tc)