CMS120N080B
Номер детали:
CMS120N080B
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$20
$20
10+
$14.24
$142.4
100+
$11
$1100
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
35A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-263-7
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Корпус
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
188W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 10mA
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (макс.)
+20V, -5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 20V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код