Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.1V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
900mW (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
30 nC @ 8 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1710 pF @ 15 V
Поставщик Устройство Корпус
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
15mOhm @ 7A, 4.5V