DMP2016UFDE-7
DMP2016UFDE-7
DMP2016UFDE-7
Номер детали:
DMP2016UFDE-7
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IC
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$0.79
$0.79
10+
$0.49
$4.9
100+
$0.32
$32
500+
$0.24
$120
1000+
$0.22
$220
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Vgs (макс.)
±8V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.1V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
900mW (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
30 nC @ 8 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1710 pF @ 15 V
Корпус
6-PowerUDFN
Поставщик Устройство Корпус
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
15mOhm @ 7A, 4.5V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-