Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
7.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.5V, 4.5V
Корпус
6-UDFN Exposed Pad
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
27mOhm @ 7A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.52W (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
U-DFN2020-6 (Type F)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
21.7 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2007 pF @ 15 V