Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
8.5A (Ta)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7A, 10V
Корпус
6-UDFN Exposed Pad
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.4W (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
U-DFN2020-6 (Type F)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
21.8 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1142 pF @ 15 V