Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4.4A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
41W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700 V
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
10 nC @ 15 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
202 pF @ 1.2 kV
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 550µA