E3M0900170D
E3M0900170D
E3M0900170D
Номер детали:
E3M0900170D
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1963
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$7.46
$7.46
30+
$4.24
$127.2
120+
$3.53
$423.6
510+
$3.01
$1535.1
1020+
$2.82
$2876.4
2010+
$2.67
$5366.71
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Корпус
TO-247-3
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4.4A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
41W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700 V
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (макс.)
+19V, -8V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
10 nC @ 15 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
202 pF @ 1.2 kV
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 550µA
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-