ECB4R3M12YM3
Номер детали:
ECB4R3M12YM3
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC, MODULE, 4.3M, 1200V, 152MM,
Корпус:
Упаковка:
Box
Количество:
1
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$1155
$1155
Статус детали
Active
Тип монтажа
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус
-
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
Module
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Мощность - Максимальная
1.1kW (Tj)
Конфигурация
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
385A
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 350A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.6V @ 84mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
848nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
25600pF @ 800V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код