EPC2016C
Номер детали:
EPC2016C
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
44650
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$3.74
$3.74
10+
$2.44
$24.4
100+
$1.7
$170
500+
$1.46
$730
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Статус детали
Not For New Designs
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
Die
Поставщик Устройство Корпус
Die
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
18A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
4.5 nC @ 5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
420 pF @ 50 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 3mA
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код