Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
50 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
3.5 nC @ 5 V
Поставщик Устройство Корпус
Die
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
444 pF @ 25 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9.6A (Ta)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 2mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 6A, 5V