EPC2204A
EPC2204A
EPC2204A
Номер детали:
EPC2204A
Категория:
-
Производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
35012
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$4.06
$4.06
10+
$2.66
$26.6
100+
$1.86
$186
500+
$1.64
$820
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
Die
Поставщик Устройство Корпус
Die
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
7.4 nC @ 5 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
29A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 4mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
851 pF @ 50 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-