EPC2218A
EPC2218A
EPC2218A
Номер детали:
EPC2218A
Категория:
-
Производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
21604
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$6.83
$6.83
10+
$4.59
$45.9
100+
$3.31
$331
500+
$3.3
$1650
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
Die
Поставщик Устройство Корпус
Die
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
60A (Ta)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1570 pF @ 50 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 7mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 25A, 5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
13.6 nC @ 5 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-