Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
8.2A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
Die
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
4.3 nC @ 5 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 2.5mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
11mOhm @ 11A, 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
576 pF @ 50 V